Výrobca Číslo produktu:
TSM4N90CZ C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM4N90CZ C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
958 Ks Nové Originálne Na Sklade
12898242
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM4N90CZ C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
955 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
38.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TSM4N90
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
1801-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZC0G-DG
-2068-TSM4N90CZC0GDKRINACTIVE
-2068-TSM4N90CZC0GDKR
-2068-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZ C0G-DG
TSM4N90CZC0G
-2068-TSM4N90CZC0GDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP2N95K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
STP2N95K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM038N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
TSM3N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
TSM650N15CS RLG
MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP
